A termék meghatározása
A porlasztó céltárgy az egyik fő anyag a vékonyrétegek porlasztással történő előállításához. A porlasztásos eljárás az egyik fő technológia az elektronikus vékonyrétegek előállítására. Az ionforrás által generált ionok segítségével nagy sebességű ionnyalábot hoz létre a nagyvákuumban történő gyorsított aggregáció után, bombázva a szilárd felületet. A szilárd felületen lévő ionok és atomok kinetikus energiát cserélnek, aminek következtében a szilárd felületen lévő atomok elhagyják a szilárd anyagot és lerakódnak a hordozó felületére. A bombázott szilárd anyag a vékonyrétegek porlasztással történő leválasztásának nyersanyaga, amelyet porlasztásos célpontnak neveznek.
Szerkezetileg a céltábla főként "céllapból" és "hátlapból" áll. Közülük a céldarab a nagy sebességű ionsugárral bombázott célanyag, amely a nagy-tisztaságú fémet és a szemcse orientáció szabályozását magában foglaló porlasztásos céltárgy központi részéhez tartozik. A hátlap játssza a fő szerepet a porlasztó célpont rögzítésében, amely magában foglalja a hegesztési folyamatot. A nagy-tisztaságú fém alacsony szilárdsága miatt a porlasztó célpontnak egy erre a célra szolgáló gépben kell befejeznie a porlasztási folyamatot. A gép belseje nagy-feszültségű, nagy-vákuum környezet, ezért a hátlapnak is jó elektromos és hővezető képességgel kell rendelkeznie.
Termék besorolása
Forma: osztható hosszú céltáblákra, négyzet alakú célokra, kerek célokra és csőcélokra. Közülük a legelterjedtebb célpontok a négyzet alakú és a kerek célpontok, amelyek tömör célpontok. Jelenleg a célanyagok felhasználási arányának javítása érdekében a rögzített rúdmágneses alkatrészek körül forogni képes üreges hengeres porlasztó céltárgyakat népszerűsítik itthon és külföldön. Mivel az ilyen típusú céltárgyak célfelülete 360 fokban egyenletesen maratható, a kihasználtság a szokásos 20%-ról 30%-ra 75%-ról 80%-ra növelhető.
Anyagok: A célpontok fémtárgyak (tiszta tantál, nióbium, vanádium, hafnium, titán, volfrám, molibdén stb.), ötvözetcélok (tantál-nióbiumötvözet, nióbium-volfrámötvözet, nióbium-}1,0 kónium-allonium, 0-óbium-}}. ötvözet, nióbium 521 ötvözet, nióbium-titánötvözet, nikkel-titánötvözet, nikkel-kobalt ötvözet stb.), valamint kerámiavegyületek (oxidok, szilicidek, karbidok, szulfidok stb.)
Iparági besorolás
1) Display panel célipar
A különböző folyamatoktól függően az FPD ipari célokat nagyjából porlasztási célokra és párolgási célokra is fel lehet osztani. Közülük a porlasztó célpontok főként Cu, Al, Mo és IGZO. A párologtatáshoz használt célanyagok általában két fémből állnak: Ag és Mg.
Alkalmazási besorolás: A főbb kijelzőpanelek LCD és OLED panelekre oszthatók. A vékony-filmes tranzisztoros folyadékkristályos kijelzők (TFT-LCD-k) olyan előnyöket kínálnak, mint a vékonyság, az alacsony energiafogyasztás és az alacsony költség. Jelenleg a TFT{4}}LCD-k a kijelzőpanelek piaci részesedésének több mint 80%-át teszik ki. Ezek a kijelzőpanelek folyadékkristályos kijelzőcellák nagy sorából állnak (például egy 4K felbontású képernyő több mint 8 millió cellát tartalmaz), amelyek mindegyikét külön vékony{9} filmtranzisztor (TFT) vezérli és hajtja meg.
A gyorsan fejlődő OLED paneliparban a célanyagok iránti kereslet is jelentősen megnőtt. A tipikus OLED-struktúra egy több tíz nanométer vastag, fényt kibocsátó anyagréteg felviteléből áll az indium-ón-oxid (ITO) üvegre. Az ITO átlátszó elektróda az eszköz anódjaként, míg a molibdén vagy egy ötvözet katódként szolgál.
2) Fotovoltaikus célipar
A célanyagokat elsősorban heterocsatlakozós és kadmium-tellurid akkumulátorokban használják. Az ITO-célpontok olyan maganyagok, amelyek az átlátszó vezetőréteget helyezik el a heterojunkciós napelemgyártás során. A kadmium-tellurid, a kadmium-cink-tellurid és a kadmium-szelenid kulcsfontosságú fogyóeszközök a vékony{2}filmes napelemek gyártásában.
Alkalmazások: A fotovoltaikus cellákban használt célpontok alkotják a hátsó elektródát. A vékony{1}}rétegű napelemek porlasztó célpontok által alkotott hátsó elektródájának három elsődleges célja van: először is negatív elektródaként szolgál minden egyes cellához; másodszor, vezetőképes utat biztosít a cellákat sorba kötve; harmadszor pedig növeli a napelem fényvisszaverő képességét. Jelenleg a vékony{3}filmes napelemek porlasztási célpontjai elsősorban négyzet alakú lemezek, amelyek tisztasági követelményei általában meghaladja a 99,99%-ot (4N). A vékony{7}}filmes cellákban gyakran használt porlasztási célpontok közé tartozik az alumínium, a réz, a molibdén és a króm, valamint az ITO és az AZO (alumínium-cink-oxid). A HIT-sejtek elsősorban ITO-célpontokat használnak átlátszó vezetőképes fóliáikhoz. Az alumínium és réz céltárgyakat elsősorban a vezető réteghez, a molibdén és króm célokat a záróréteghez, az ITO és AZO célokat pedig az átlátszó vezetőréteghez használják.
3) Félvezető célipar
A félvezető chip-ipar a fémporlasztásos célok egyik fő alkalmazási területe. Ez az a terület, ahol a legmagasabb követelményeket támasztják a célanyagok összetételére, szerkezetére és teljesítményére vonatkozóan. A megcélzott tisztasági követelmény általában 99,9995% (5N5) vagy akár 99,9999% (6N). A félvezető chipek fémporlasztási célpontjainak szerepe az, hogy fémhuzalokat készítsenek a chipen az információ továbbítására.
Hiszem, hogy a velünk való kapcsolatfelvétel váratlan meglepetésekkel fog szolgálni
E--mail
kd@tantalumysjs.com
+86 13379388917
Hozzáadás
Wenquan falu ipari zóna, Gaoxin fejlesztési zóna, Baoji város, Shaanxi tartomány, Kína
